跳转至

5.1 状态方程与体积模量

本课输入均为未执行的教学示例,数值是待测试的起点;图为原创示意,不是实际计算结果。使用授权 VASP 和 PAW 数据,替换所有占位符,记录程序版本并自行检验收敛。

5.1.1 模型、单位与记录

能量用 eV,长度用 Å,力用 eV/Å;1 kbar = 0.1 GPa。明确每原子、每分子、每原胞或每计算胞的归一化。记录 PAW 名称、版本、ZVAL、ENMAX 及允许的哈希;不分发 POTCAR。SCF 收敛只验证所选电子问题,目标物性的收敛仍需单独检查。

 状态方程与体积模量 — 原创概念示意

原创示意图;曲线与空白数据区用于说明或填写真实结果,不代表已运行计算。

\[ P=-\frac{dE}{dV},\qquad B=V\frac{d^2E}{dV^2},\qquad x=(V_0/V)^{2/3}\\ E(V)=E_0+\frac{9V_0B_0}{16}\left[B_0\prime(x-1)^3+(x-1)^2(6-4x)\right] \]

5.1.2 完整案例:步骤、解释与检验

问题与直觉

晶体有多难被均匀压缩?可以把能量随体积的变化想成一个碗:横坐标是体积,最低点是平衡体积,最低点附近的弯曲程度决定压缩或膨胀所需能量增长得多快。体积模量不是碗的深度,也不是内聚能。键合很强的两种材料仍可能具有不同的抗压缩能力。

定义压力 P(V)=−dE/dV,体积模量 B(V)=−V dP/dV=V d²E/dV²。在零压平衡体积 V₀ 处,局域稳定结构的 B₀ 应为正。B₀′ 是零压处 dB/dP,为无量纲量。普通静态 DFT 给出的是零温电子状态方程;零点振动和热膨胀要进一步处理。

前提与流程

第一遍建议从充分弛豫的单一晶相出发,例如立方 Si。先明确研究的是“固定形状的各向同性缩放”,还是“每个固定体积下还允许形状弛豫”的能量。稳定立方晶体中两者可能相同,低对称晶体中则不一定。

  1. 得到参考体积 Vref,并在整个序列中保持原子数及元素顺序一致。
  2. 在预期最低点两侧选取约七至十一个体积,例如 V/Vref 从 0.94 到 1.06;它只是示范采样范围。
  3. 各晶格矢量乘以 s=(V/Vref)^(1/3),分数坐标作为初始位置不变。体积增加 3% 并不等于每个晶格矢量都增加 3%。
  4. 每个试验晶胞固定,用 ISIF=2 弛豫内部原子。若需要固定体积的形状弛豫,应另设明确的体积约束;直接用 ISIF=3 会破坏体积扫描。
  5. 对各弛豫结构进行统一精度的静态计算。所有点使用相同截断能,优先保持相同 k 网格拓扑,避免网格切换导致锯齿。
  6. 拟合 E(V),检查残差,再改变拟合区间或状态方程比较。报告 V₀、B₀、B₀′、归一化方式、模型以及敏感性。

输入与分析

原创记录表可包含体积比、体积(ų)、能量(eV)、最大力(eV/Å)、压力(kbar)及 SCF 是否收敛。未收敛的数据不能送入拟合。三阶 Birch–Murnaghan 方程中令 x=(V₀/V)^(2/3),则上式给出 E(V)。注意代入公式的 B₀ 应使用 eV/ų,最后再转换为 GPa。画 E−min(E) 比直接画巨大的绝对能量更容易看到细微曲率。由拟合导数获得的压力应与直接输出的静水压力相互核对。高阶多项式即使视觉上很平滑,也可能产生不合理的曲率。

检查、误区、练习

提高截断能及 k 点,直到体积模量本身稳定,而非只盯总能量。Pulay 应力可能移动平衡体积。数据必须覆盖最低点两侧,不能仅凭受压侧外推平衡模量。磁态或晶相变化会形成不同能量分支,不应强行用一条平滑曲线掩盖。B₀′ 通常比 B₀ 更敏感,不要给出虚假的有效数字。残差图常能发现单个未收敛点或能量定义混用。

练习:分别使用全部点和去除最外侧一对点拟合,哪个参数变化最大?对于立方晶体,再与 5.2 有限应变求弹性张量 中的 (C11+2C12)/3 比较;若偏差超出数值误差,检查两种方法的内部弛豫条件是否一致。

5.1.3 未执行输入与分析框架

本课输入均为未执行的教学示例,数值是待测试的起点;图为原创示意,不是实际计算结果。使用授权 VASP 和 PAW 数据,替换所有占位符,记录程序版本并自行检验收敛。

5.1.3.1 输入片段 1

# Fixed-cell internal relaxation; merge with the common/material block
IBRION = 2
NSW    = 120
ISIF   = 2
EDIFFG = -0.003

# For the final static calculation, replace the four lines above by:
# IBRION = -1
# NSW = 0
# ISIF = 2

5.1.4 衔接学习

5.1.5 技术来源